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サムスン電子、7倍速いDRAMを量産

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超高速DRAMでサムスン電子の半導体技術がさらに一段階進化した。サムスン電子は19日、現在のDRAMより7倍以上速い次世代「4ギガバイト第2世代高帯域幅メモリー(HBM2)DRAM」を本格量産すると発表した。

DRAMはコンピュータの頭脳の役割をするCPUが演算作業をする時にデータの書き込みと消去を助ける装置だ。DRAMのデータ処理速度が速くなるほどコンピュータの性能も向上する。

サムスン電子は今回の4GB HBM2量産を通じ超高性能コンピューティング(HPC)、高仕様グラフィックカードなど、次世代情報技術(IT)機器需要に対応するという戦略だ。

サムスン電子によると、今回の製品にはDRAMチップに5000個以上の穴を開け上下をつなぐシリコン貫通電極(TSV)技術を使った。これまでの金線を利用して上下をつなぐ方式よりデータ通路が多く処理速度を高めることができる。4GB HBM DRAMは1秒当たり256ギガバイトの情報を伝送し、同じ4GB級GDDR5より7倍以上多い情報を処理できる。
COPYRIGHTⓒ 中央日報日本語版  2016年01月20日 10:31
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