サムスン電子、７倍速いDRAMを量産

超高速ＤＲＡＭでサムスン電子の半導体技術がさらに一段階進化した。サムスン電子は１９日、現在のＤＲＡＭより７倍以上速い次世代「４ギガバイト第２世代高帯域幅メモリー（ＨＢＭ２）ＤＲＡＭ」を本格量産すると発表した。

ＤＲＡＭはコンピュータの頭脳の役割をするＣＰＵが演算作業をする時にデータの書き込みと消去を助ける装置だ。ＤＲＡＭのデータ処理速度が速くなるほどコンピュータの性能も向上する。

サムスン電子は今回の４ＧＢ　ＨＢＭ２量産を通じ超高性能コンピューティング（ＨＰＣ）、高仕様グラフィックカードなど、次世代情報技術（ＩＴ）機器需要に対応するという戦略だ。

サムスン電子によると、今回の製品にはＤＲＡＭチップに５０００個以上の穴を開け上下をつなぐシリコン貫通電極（ＴＳＶ）技術を使った。これまでの金線を利用して上下をつなぐ方式よりデータ通路が多く処理速度を高めることができる。４ＧＢ　ＨＢＭ　ＤＲＡＭは１秒当たり２５６ギガバイトの情報を伝送し、同じ４ＧＢ級ＧＤＤＲ５より７倍以上多い情報を処理できる。