韓国旅行「コネスト」 3次元NAND型フラッシュメモリー、サムスン世界初めての量産。韓国の経済ニュース
KONEST

3次元NAND型フラッシュメモリー、サムスン世界初めての量産

お気に入りに追加 (登録者 : 0人)  印刷する
ノートブックPCの保存容量をスーパーコンピューター級に変える技術が韓国で生まれた。

サムスン電子は世界で初めて3次元積層方式を適用したNAND型フラッシュメモリー(電源が消えても情報が保存されるメモリー半導体)「V NAND」の量産を始めたと6日、明らかにした。半導体の構造を3次元立体方式に変えたのだ。線を細くする微細工程の限界と見なされてきた10ナノメートル(1ナノは10億分の1)の壁を一気に越えた。

崔定赫(チェ・ジョンヒョク)サムスン電子メモリー事業部フラッシュ開発室長はこの日、「サムスン電子がメモリー事業を開始してから30年目、半導体事業の新しいターニングポイントを迎えた」と紹介した。

「V NAND」は容量が128ギガビット(Gb)と、今年4月に量産に入った従来の製品と同じ。しかし適用された技術は完全に違う。半導体業界はNAND型フラッシュメモリーの集積度を高めるために10ナノ級工程技術を競争的に導入した。しかし電子を閉じ込めてデータを保存する保存場所(セル)の間隔が狭まると問題が発生した。電子が壁を突き抜けて別のセルに移る「干渉現象」が激しくなったのだ。

サムスンは高層ビルを建てるようにセルを上積みする方式で問題を解決した。平らなセルを巻いて3次元垂直に積層したところ、従来の干渉問題が消えたということだ。この日量産を発表した製品は24層構造。理論的には層数を増やせば容量を無限に拡張できる。

今までのように容量が増えれば、5年以内にスーパーコンピューターに入る1テラビット(Tb)級メモリーをノートブックに装着することが可能になる見込みだ。立体設計のため書き込み速度も2倍以上速くなり、セルの寿命を示す書き込み回数(耐久年限)も製品別に2-10倍以上向上した。
COPYRIGHTⓒ 中央日報日本語版  2013年08月07日 08:41
PR
コネスト予約センターコネスト予約センターコネスト予約センター
・営業時間 9:30~18:00(月~土)
・休業日  日曜日・1月1日
道路名住所」とは?
2014年から施行された新しい韓国の住所表記法です。 → 詳細
ログイン 予約の確認
無料会員登録
コネスト会員になるとより韓国が近くなる!
レート・両替・物価 韓国の天気 カレンダー 翻訳
注目のニュース
韓国アイドル 1億人を動かす影響力
スーバージュニア 遂に新音盤発売
住居価格高騰で「脱ソウル」ラッシュ
Rain、結婚5年目を打ち明ける
「ミナリ」 公開初日に動員数1位
新規コロナ感染者数424人
俳優ジス 過去の暴力への謝罪文掲載
韓国20代、史上最悪の就職氷河期
家飲み増加でワイン輸入が過去最高
韓国、ワクチンパスポート導入慎重に
週間アクセスランキング
ヒョンジン 学生時代のいじめを謝罪
21.02.26
キ・ソンヨン性暴行疑惑を正面突破
21.02.28
3月から留学生健康保険の加入義務化
21.02.26
韓日結ぶ旅客船会社が倒産危機
21.03.02
コロナ時代「住みやすい国」韓国8位
21.03.01
COPYRIGHT ⓒ 2021 韓国旅行情報「コネスト」 All rights reserved.
今日見た記事
注目の記事
[ 閉じる▲ ]
[ 固定解除 ]