サムスン「20ナノDRAM」量産、「技術の限界」越え

サムスン電子が２０ナノＤＲＡＭの量産に成功し、半導体分野の主導権を固めた。

サムスン電子は１１日、「世界で初めて２０ナノメートル（ｎｍ）４ギガビット（Ｇｂ）ＤＤＲ３　ＤＲＡＭ量産に入る」と明らかにした。１ナノメートルは１０億分の１メートル。２０ナノは髪の毛の厚さの２５００分の１にすぎない銅線を連結し、ＤＲＡＭ半導体を作る。サムスン電子はＮＡＮＤ型フラッシュメモリー部門では２０１２年から１０ナノ工程で量産を始めたが、構造が複雑で高速で作動するＤＲＡＭは２５ナノが技術的な限界だった。

２０ナノＤＲＡＭ量産体制を整え、生産コストは大幅に下がる見込みだ。２０ナノＤＲＡＭは２５ナノ工程に比べて生産性が３０％以上、３０ナノ級ＤＲＡＭに比べると２倍ほど高い。同じ大きさのウェハーを切ってＤＲＡＭチップを作る。線幅が細くなるほどチップは小さくなり、それだけ同じ材料と時間でより多くのものを作ることができるからだ。

さらに大きな強みは消費電力だ。細い回路であるほど少ない電力で駆動できる。２０ナノＤＲＡＭは２５ナノＤＲＡＭに比べ消費電力が２５％ほど減る。サムスン電子の全永鉉（チョン・ヨンヒョン）メモリー事業部戦略マーケティングチーム長（副社長）は「低電力２０ナノＤＲＡＭは限られたバッテリーを使うスマートフォンやタブレットなどモバイル機器で効率的。相対的に高い価格で売れるので多くの利益が生じる」と説明した。

２０ナノＤＲＡＭは、従来の製造設備をそのまま利用して量産に成功したのが特徴だ。新しい微細工程を開発すれば、それに合う生産設備をそろえるために数千億ウォンから数兆ウォンの費用がかかった。しかし独自に半導体回路線を描く露光技術を改良し、従来の装備を活用できる道を探した。全副社長は「１０ナノ級ＤＲＡＭを量産できる基盤技術を用意した」と強調した。

サムスンは２０ナノＤＲＡＭの量産に成功し、ライバル企業との差をさらに広げた。市場調査会社ＤＲＡＭエクスチェンジによると、サムスン電子は昨年、グローバルＤＲＡＭ市場の３６．７％を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場では３８．４％を占め、メモリー半導体市場で確固たる１位を守っている。

メモリー半導体市場はサムスン電子をＳＫハイニックスと米マイクロンが追撃する様相だ。２０００年代末までＤＲＡＭ市場では韓国企業が日本エルピーダ、独キモンダ、米マイクロン、台湾のナンヤ・パワーチップなどと激しく競争した。生産費にもならないほどの出血競争をした結果、キモンダとパワーチップは２０１０年ごろ破産した。昨年破産したエルピーダは最近、１３年で看板を下ろし、マイクロン・メモリ・ジャパンとして再編された。

業界ではサムスンが２０ナノＤＲＡＭの量産で主導権を強化するとみている。マイクロンはエルピーダの工場を含めても昨年１０－１２月期を基準に２０ナノ台工程の比率が全体の２１％と、サムスン電子（６８％）やＳＫハイニックス（６３％）を大きく下回る。２年以上も差が開いたのだ。

チュ・デヨン産業研究院研究委員は「２０ナノＤＲＡＭ量産は停滞したパソコン市場より成長の勢いが強いモバイル機器市場を中心にサムスンの競争力を固めるだろう」とし「モバイル機器が拡大し、サムスン電子半導体部門の実績も良くなる可能性がある」と分析した。